FACULTAD DE INGENIERÍA
DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Programa de la Asignatura: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Clave: 1618 Núm. de créditos: 10
Carrera: ING. ELECTRICO ELECTRONICO
ING. EN COMPUTACION
ING. EN TELECOMUNICACIONES
Duración del curso:
Semanas: 16
Horas: 96
Semestre: 7º, 7º, 7º
Horas a la semana:
Teoría: 4 Obligatoria: SI
Prácticas: 2 Optativa:
OBJETIVO DEL CURSO
El alumno analizará y diseñará circuitos electrónicos, considerando
el modelado y las limitaciones de los dispositivos.
TEMAS
Núm: Nombre: Horas
I. INTRODUCCION. 2
II. CONCEPTOS DE FISICA DE SEMICONDUCTORES. 4
III. EL DIODO SEMICONDUCTOR. 16
IV. EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ). 16
V. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET). 12
VI. REGULADORES DE TENSION. 6
VII. DISPOSITIVOS OPTICOS Y DE POTENCIA. 8
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64
PRACTICAS DE LABORATORIO. 32
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96
ASIGNATURA CONSECUENTE OBLIGATORIA :
AMPLIFICADORES ELECTRÓNICOS
PARA ING. TELECOMINICACIONES E ING. ELECTRICO ELECTRONICO)
ANTECEDENTES, OBJETIVOS Y CONTENIDOS DE LOS TEMAS
I. INTRODUCCION.
ANTECEDENTES:
Ninguno.
OBJETIVO:
El alumno conocerá la evolución de la electrónica,
sus aplicaciones y su interacción con otras disci-
plinas, así como los conceptos fundamentales que
se utilizarán durante el curso.
CONTENIDO:
I.1 Bosquejo histórico.
I.2 Aplicaciones.
I.3 Conceptos básicos: señal, transducción,
señales analógicas y digitales, acopla-
miento, amplificación, procesamiento y
ejemplos de sistemas analógicos y digitales.
II. CONCEPTOS DE FISICA DE SEMICONDUCTORES.
ANTECEDENTES:
Electricidad y Magnetismo.
OBJETIVO:
El alumno comprenderá cualitativamente los conceptos
básicos de la física de los semiconductores para
aplicarlos en el análisis del comportamiento de los
dispositivos de estado sólido.
CONTENIDO:
II.1 Modelo de bandas de los conductores, aislantes
y semiconductores.
II.2 Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
II.3 Conducción eléctrica en semiconductores.
II.4 Unión PN y características asociadas: densidad
de carga, campo eléctrico, potencial electrostá-
tico,capacitancia y relación
III. EL DIODO SEMICONDUCTOR.
ANTECEDENTES:
Dinámica de Sistemas Físicos.
OBJETIVO:
El alumno analizará y diseñará circuitos electrónicos
que contengan diodos semiconductores.
CONTENIDO:
III.1 Modelos en señal grande.
III.1.1 Modelo ideal.
III.1.2 Modelo piezolineal.
III.1.3 Modelo exponencial.
III.2 Aplicaciones de los diodos semiconductores.
III.2.1 Rectificadores de onda completa y
media onda.
III.2.2 Recortadores.
III.2.3 Sujetadores.
III.2.4 Duplicadores y triplicadores de voltaje.
III.3 Modelo en señal pequeña y sus aplicaciones.
III.4 Diodo zener.
III.4.1 Estructura, funcionamiento y modelo.
III.4.2 Aplicaciones como regulador de voltaje.
III.5 Especificaciones del fabricante.
III.6 Análisis y diseño de circuitos con diodos asistidos
por computadora.
IV. EL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (TBJ).
ANTECEDENTES:
Análisis de Circuitos Eléctricos.
Dinámica de Sistemas Físicos.
OBJETIVO:
El alumno analizará y diseñará circuitos amplificadores
de una etapa con transistores TBJ.
CONTENIDO:
IV.1 Estructura, funcionamiento y curvas características.
IV.2 Polarización.
IV.2.1 Configuraciones de polarización.
IV.2.2 Estabilidad del punto de operación.
IV.3 Aplicaciones del transistor bipolar de juntura
en C.D.
IV.3.1 Inversor y compuertas lógicas.
IV.3.2 Reguladores de voltaje en serie y en
paralelo.
IV.4 Análisis del transistor bipolar de juntura en
señal pequeña.
IV.4.1 Modelo del TBJ.
IV.4.2 Amplificador base común.
IV.4.3 Amplificador emisor común.
IV.4.4 Amplificador colector común.
IV.5 Análisis del transistor bipolar de juntura en
señal grande.
IV.5.1 Rectas de carga en C.D. y C.A.
IV.5.2 Máxima excursión simétrica.
IV.6 Especificaciones del fabricante.
IV.7 Análisis y diseño de amplificadores con TBJ
asistidos por computadora.
V. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET).
ANTECEDENTES:
Análisis de Circuitos Eléctricos.
Dinámica de Sistemas Físicos.
OBJETIVO:
El alumno analizará y diseñará circuitos amplificadores
de una etapa con transistores FET.
CONTENIDO:
V.1 Estructura, funcionamiento y curvas características.
V.2 Polarización.
V.2.1 Configuraciones de polarización.
V.2.2 Estabilidad del punto de operación.
V.3 Aplicaciones del transistor de efecto de campo.
V.4 Análisis del transistor de efecto de campo en señal
pequeña.
V.4.1 Modelo del FET.
V.4.2 Amplificador compuerta común.
V.4.3 Amplificador drenaje común.
V.4.4 Amplificador fuente común.
V.5 Análisis del transistor de efecto de campo en
señal grande.
V.5.1 Rectas de carga en C.D. y A.C.
V.5.2 Máxima simetría de excursión.
V.6 El transistor MOSFET.
V.7 Análisis y diseño de amplificadores con FET
asistidos por computadora.
VI. REGULADORES DE TENSION.
ANTECEDENTES:
Incluídos en esta asignatura.
OBJETIVO:
El alumno analizará y diseñará circuitos reguladores
discretos y diseñar fuentes reguladoras de voltaje
y corriente usando reguladores integrados.
CONTENIDO:
VI.1 Reguladores de tensión usando transistores
y diodos Zener.
VI.2 Reguladores integrados y especificaciones
del fabricante.
VI.3 Fuentes de poder.
VI.4 Análisis y diseño de reguladores de tensión
y de corriente asistidos por computadora.
VII. DISPOSITIVOS OPTICOS Y DE POTENCIA.
ANTECEDENTES:
Incluídos en esta asignatura.
OBJETIVO:
El alumno diseñará circuitos electrónicos con
dispositivos ópticos y de potencia.
CONTENIDO:
VII.1 Diodos emisores de luz.
VII.2 Fotodiodos y fototransistores.
VII.3 Optoacopladores.
VII.4 Optoaisladores.
VII.5 TRIAC y SCR.
TECNICAS DE ENSEÑANZA: ELEMENTOS DE EVALUACION:
Exposición oral (X) Exámenes parciales (X)
Exposición audiovisual (X) Exámenes finales (X)
Ejercicios dentro de clase (X) Trabajos y tareas fuera del aula (X)
Ejercicios fuera del aula (X) Participación en clase (X)
Seminarios ( ) Asistencia a prácticas (X)
Lecturas obligatorias (X)
Trabajo de investigación (X)
Prácticas de taller o laboratorio(X)
Prácticas de campo ( )
Otras: Uso del simulador PSPICE
para circuitos analógicos
BIBLIOGRAFIA
TEXTOS BASICOS Temas de la materia para los que se recomienda:
Horenstein Mark N. Todos
"Microelectronic circuits & devices"
Prentice Hall
E. E. U. U., 1990
Boylestad Robert & Nashelsky Louis Todos
"Eelectronic deevices & circuit theory"
Prentice Hall
E. E. U. U., 1992
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA
Malvino Albert Paul Todos
"Principios de eléctronica"
Mc Graw Hill,
E. E. U. U., 1991
Schilling Donald L. y Belove Charles I, II, III, IV, V
"Electronic circuits discrete and integrated"
Mc Graw Hill, 3a. ed.
E. E. U. U., 1989