FACULTAD DE INGENIERÍA
DIVISIÓN DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES
Programa de la Asignatura: DISPOSITIVOS DE MICROONDAS
Clave: 1004 Núm. de créditos: 8
Carrera: ING. EN TELECOMUNICACIONES
Duración del curso:
Semanas: 16
Horas: 64
Semestre: 10º
Horas a la semana:
Teoría: 4 Obligatoria:
Prácticas: 0 Optativa: SI
OBJETIVO DEL CURSO
El alumno determinará los parámetros que caracterizan a
diversos dispositivos pasivos y activos que se emplean en los
sistemas de microondas.
TEMAS
Núm: Nombre: Horas
I. ONDAS GUIADAS. 8
II. CAVIDADES RESONANTES. 4
III. CIRCUITOS EN GUIAS. 12
IV. DISPOSITIVOS NO RECIPROCOS. 8
V. CIRCUITOS DE MICROONDAS. 16
VI. DISPOSITIVOS ACTIVOS Y APLICACIONES. 16
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64
ASIGNATURAS ANTECEDENTES :
CAMPOS Y ONDAS ELECTROMAGNÉTICAS
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
FILTRADO DE SEÑALES ANALÓGICAS Y DIGITALES
LÍNEAS DE TRANSMISIÓN
MICROONDAS Y SATÉLITES
ANTECEDENTES, OBJETIVOS Y CONTENIDOS DE LOS TEMAS
I. ONDAS GUIADAS.
ANTECEDENTES:
Líneas de Transmisión.
OBJETIVO:
El alumno determinará los principales parámetros
que caracterizan a las líneas de transmisión y
guías de ondas empleadas en los sistemas de microondas.
CONTENIDO:
I.1 Revisión de ondas planas; pérdidas,
efecto pecicular, analogía con líneas
de transmisión.
I.2 Clasificación de ondas en TE y TM.
I.3 Modos de la guía rectangular.
I.4 Modos de la guía circular.
I.5 Modos superiores del cable coaxial.
I.6 Guías dieléctricas.
II. CAVIDADES RESONANTES.
ANTECEDENTES:
Líneas de Transmisión.
OBJETIVO:
El alumno determinará la distribución de los campos
electromagnéticos y el factor de calidad Q en cavidades
resonantes y resonadores dieléctricos que tienen
formas geométricas sencillas.
CONTENIDO:
II.1 Ondas estacionarias en guías.
II.2 Cavidad rectangular.
II.3 Cavidad cilíndrica circular.
II.4 Resonadores dieléctricos.
III. CIRCUITOS EN GUIAS.
ANTECEDENTES:
Líneas de Transmisión.
OBJETIVO:
El alumno analizará la operación y determinará los
parámetros de diversos dispositivos construidos en
guías de onda que presentan uno o más puertos terminales.
CONTENIDO:
III.1 Corrientes y tensiones equivalentes.
III.2 Propiedades de redes de N accesos.
III.3 Redes de 1 acceso: Teorema de Foster.
III.4 Diagramas en guías.
III.5 T's e híbridos.
III.6 Acopladores direccionales.
III.7 Excitación de guías.
IV. DISPOSITIVOS NO RECIPROCOS.
ANTECEDENTES:
Campos y Ondas Electromagnéticas.
Líneas de Transmisión.
Microondas y Satélites.
OBJETIVO:
El alumno comprenderá el comportamiento de las ondas
electromagnéticas en materiales no lineales y en
materiales anisotrópicos y conocerá las aplicaciones
de éstos en diversos dispositivos empleados en los
sistemas de microondas.
CONTENIDO:
IV.1 Clasificación de los medios materiales.
IV.2 Propagación en dieléctricos cristalinos.
IV.3 Propagación en plasmas: Rotación Faraday.
IV.4 Propagación en ferritas.
IV.5 Dispositivos de rotación Faraday.
IV.6 Dispositivos de desplazamiento de campo.
IV.7 Filtros YIG.
V. CIRCUITOS DE MICROONDAS.
ANTECEDENTES:
Filtrado de Señales Analógicas y Digitales.
Líneas de Transmisión.
Microondas y Satélites.
OBJETIVO:
El alumno conocerá las propiedades generales de los
parámetros de dispersión (parámetros S) y aplicará
éstos para caracterizar diversos dispositivos
empleados en los sistemas de microondas.
CONTENIDO:
V.1 Parámetros S; definición y propiedades
generales.
V.2 Redes de 2 accesos; inversores de Z's,
atenuadores y aisladores.
Cadenas de cuadripolos.
V.3 Redes de 3 accesos; divisores de potencia,
circuladores.
V.4 Redes de 4 accesos, híbridos, acopladores
direccionales.
V.5 Líneas acopladas simétricas.
V.6 Filtros realizados con inversores de Z's.
V.7 Medida de parámetros: El analizador de redes.
VI. DISPOSITIVOS ACTIVOS Y APLICACIONES.
ANTECEDENTES:
Dispositivos y Circuitos Electrónicos.
Microondas y Satélites.
OBJETIVO:
El alumno conocerá las propiedades de los principales
dispositivos semiconductores empleados en los sistemas
de microondas.
CONTENIDO:
VI.1 Revisión de la unión P-N.
VI.2 Diodos; Shottky, pin, Gunn, impatt.
VI.3 Transistores bipolares y FET's.
VI.4 Diseño de amplificadores con parámetros S.
VI.5 Osciladores.
TECNICAS DE ENSEÑANZA: ELEMENTOS DE EVALUACION:
Exposición oral (X) Exámenes parciales (X)
Exposición audiovisual (X) Exámenes finales (X)
Ejercicios dentro de clase (X) Trabajos y tareas fuera del aula (X)
Ejercicios fuera del aula (X) Participación en clase (X)
Seminarios ( ) Asistencia a prácticas ( )
Lecturas obligatorias (X)
Trabajo de investigación (X)
Prácticas de taller o laboratorio ( )
Prácticas de campo ( )
Otras:
BIBLIOGRAFIA
TEXTOS BASICOS Temas de la materia para los que se recomienda:
LIAO, Samuel Y. Todos
"Microwave Devices and Circuits."
Prentice Hall Inc.
E.E.U.U., 1990.
HELSZAJN, Joseph. Todos
"Microwave Engineering: Pasive, Active
and Non-reciprocal Circuits."
Mc Graw Hill Book Co.
E.E.U.U., 1991.
MULLER, M. W. IV, VI
"Microwave Devices."
Addison Wesley Publishing Co.
E.E.U.U., 1991.
RAMO, Whinnery and VAN Duzer. I, II, III, IV
"Fields and Waves in Communication Electronics."
Wiley
E.E.U.U., 1984.
MORGAN and HOWES. VI
"Microwave Solid State Devices and Aplications."
Peter Peregrinus
Reino Unido, 1980.
SAZONOV, Grindin and Mishustin. V
"Microwave Circuits."
Mir Publishers
Rusia, 1982.